Усилители мощности (РЧ)
Блочный повышающий конвертер (BUC)
Приёмопередающие модули
РЧ Компоненты
Антидронный системы
РЭБ
Коммуникация
Радар
Тестирование и измерение
Импульсный усилитель высокой мощности KNP2900M60A
ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
СВЧ-импульсный усилитель высокой мощности KNP2900M60A обеспечивает типичную выходную мощность насыщения 1000 Вт в диапазоне 2700–3100 МГц.
Применение современных импульсных приборов обеспечивает высокие мощностные характеристики, надёжность и высокий КПД. Усилитель подходит для мощных импульсных систем в СВЧ-, ВЧ- и ОВЧ-диапазонах.
Импульсные усилители KeyLink отличаются высоким коэффициентом усиления, широкой полосой пропускания, низкими искажениями, высокой стабильностью и быстродействием. В усилителе используется GaAs MESFET-транзистор. Арсенид галлия (GaAs) обеспечивает работу на высоких частотах, высокую подвижность электронов, высокую выходную мощность, высокую линейность и низкий уровень шума. Усилители применяются в оптоэлектронике и радиочастотной технике.
Усилитель отличается высоким КПД и линейностью. На его основе создан радиочастотный усилитель мощности, работающий в режиме класса A.
Применение современных импульсных приборов обеспечивает высокие мощностные характеристики, надёжность и высокий КПД. Усилитель подходит для мощных импульсных систем в СВЧ-, ВЧ- и ОВЧ-диапазонах.
Импульсные усилители KeyLink отличаются высоким коэффициентом усиления, широкой полосой пропускания, низкими искажениями, высокой стабильностью и быстродействием. В усилителе используется GaAs MESFET-транзистор. Арсенид галлия (GaAs) обеспечивает работу на высоких частотах, высокую подвижность электронов, высокую выходную мощность, высокую линейность и низкий уровень шума. Усилители применяются в оптоэлектронике и радиочастотной технике.
Усилитель отличается высоким КПД и линейностью. На его основе создан радиочастотный усилитель мощности, работающий в режиме класса A.
Ключевые особенности
√ Импульсный усилитель высокой мощности, типичная мощность 1000 Вт
√ Высокий КПД
√ Низкие искажения
√ Усилитель на технологии GaAs (арсенид галлия)
√ Встроенная защита от перегрева, перегрузки по току и перенапряжения.
Почему KeyLink использует технологию GaN?
GaN становится основным полупроводниковым материалом для транзисторов. GaN обеспечивает высокую подвижность электронов, большее усиление на высоких частотах и более высокий КПД, чем LDMOS.
GaN имеет широкую запрещённую зону, что обеспечивает отличные тепловые свойства и высокое напряжение пробоя. Преимущества GaN-транзисторов: высокая удельная мощность, высокое пробивное напряжение и высокая теплопроводность. Это обеспечивает высокий КПД, компактность, надёжность и высокую производительность.
GaN-транзисторы соответствуют ключевым требованиям: высокий коэффициент усиления, низкое энергопотребление, широкая полоса пропускания и высокая скорость переключения.
GaN имеет широкую запрещённую зону, что обеспечивает отличные тепловые свойства и высокое напряжение пробоя. Преимущества GaN-транзисторов: высокая удельная мощность, высокое пробивное напряжение и высокая теплопроводность. Это обеспечивает высокий КПД, компактность, надёжность и высокую производительность.
GaN-транзисторы соответствуют ключевым требованиям: высокий коэффициент усиления, низкое энергопотребление, широкая полоса пропускания и высокая скорость переключения.
ЧАСТО ЗАДАВАЕМЫЕ ВОПРОСЫ
1. Какова производственная мощность KeyLink?
KeyLink располагает 12 производственными линиями и автоматизированной испытательной платформой. Эти линии обеспечивают эффективность производства и позволяют достигать 3000 единиц в месяц.
2. Какие виды модуляции поддерживают мощные усилители KeyLink?
Усилители KeyLink поддерживают амплитудную (АМ), частотную (ЧМ), многотональную и импульсную модуляцию.